BSD223PL6327

BSD223P
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BSD223P參數(shù)：MOSFET 2P-CH 20V 390MA SOT363

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 陣列
產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation28/Mar/2008
標準包裝：10,000
系列：OptiMOS™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個P溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：390mA
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：1.2歐姆@390mA，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.2V@1.5µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：0.62nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：56pF@15V
功率-最大值：250mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
供應商器件封裝：PG-SOT363-6